基礎から学ぶ半導体電子デバイス

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基礎から学ぶ半導体電子デバイス

同志社大学教授 博(工) 大谷直毅 (著)

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ページ192
発行年月2019.10
内容
目次
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正誤表
半導体の概念からデバイスの基本動作までを丁寧に解説.物理現象を順を追って平易に説明していますので,ミクロな現象の本質を定性的に理解できます.
数式の展開を丁寧にするとともに,正孔の概念,価電子帯のエネルギーの向きの解釈など,省略されがちな内容を多くの付録にまとめていますので,しっかり勉強したい方,理解をいっそう深めたい方にも最適です.
1 半導体の基礎
2 半導体中のキャリア密度
3 半導体中のキャリア輸送現象
4 pn接合ダイオード
5 金属と半導体の接合による整流特性
6 バイポーラトランジスタ
7 接合型電界効果トランジスタ
8 MOSダイオード
9 MOSFET
10 MOS集積回路
11 MESFET
付録A エネルギーバンド構造について
付録B 状態密度の計算方法
付録C 有効質量の概念,直接遷移型と間接遷移型半導体
付録D 価電子帯のエネルギーと正孔の概念
付録E ヘテロ接合,トンネル効果,半導体超格子
付録F ショットキー接合の電流-電圧特性
付録G バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足

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