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基礎から学ぶ半導体電子デバイス

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基礎から学ぶ半導体電子デバイス

同志社大学教授 博（工） 大谷直毅 (著)

定価 ¥ 2,750
ページ192
判型菊
ISBN978-4-627-77621-0
発行年月2019.10
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内容
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正誤表
半導体の概念からデバイスの基本動作までを丁寧に解説．物理現象を順を追って平易に説明していますので，ミクロな現象の本質を定性的に理解できます．
数式の展開を丁寧にするとともに，正孔の概念，価電子帯のエネルギーの向きの解釈など，省略されがちな内容を多くの付録にまとめていますので，しっかり勉強したい方，理解をいっそう深めたい方にも最適です．
1　半導体の基礎
2　半導体中のキャリア密度
3　半導体中のキャリア輸送現象
4　pn接合ダイオード
5　金属と半導体の接合による整流特性
6　バイポーラトランジスタ
7　接合型電界効果トランジスタ
8　MOSダイオード
9　MOSFET
10　MOS集積回路
11　MESFET
付録A　エネルギーバンド構造について
付録B　状態密度の計算方法
付録C　有効質量の概念，直接遷移型と間接遷移型半導体
付録D　価電子帯のエネルギーと正孔の概念
付録E　ヘテロ接合，トンネル効果，半導体超格子
付録F　ショットキー接合の電流-電圧特性
付録G　バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足

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